根据最新消息，台积电在近期举办的北美技术研讨会上披露了其下一代芯片制造工艺的进展。公司预计将在今年下半年开始量产N2芯片。这是台积电首次采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术进行生产。
目前，台积电的N3系列（即3nm工艺）已包含已量产的N3和N3E，并计划后续推出N3P、N3X、N3A以及N3C等版本。而N2（即2nm工艺）作为台积电全新的工艺技术，采用了纳米片或环绕栅极设计。相比前代技术，N2能够在相同功耗下实现10%-15%的速度提升，或者在相同速度下降低20%-30%的功耗。
与现有的N3E工艺相比，N2工艺的性能提升了10%-15%，功耗降低了25%-30%，同时晶体管密度增加了15%。台积电还透露，N2的晶体管性能已接近预期目标，256Mb SRAM模块的平均良率超过90%。随着N2逐渐进入量产阶段，其工艺成熟度也将进一步提高。台积电预计，在智能手机和高性能计算应用的推动下，2nm技术的流片数量在投产初期将超过3nm和5nm技术。
此外，台积电继续遵循其技术改进战略，推出了N2P作为N2系列的延伸。N2P在N2的基础上进一步优化了性能和功耗表现，计划于2026年投入生产。在N2之后，台积电将进入A16（即1.6nm）节点。
A16工艺的核心技术特点之一是超级电轨架构，也称为背面供电技术。通过将供电网络移至晶圆背面，这种技术能够释放更多正面布局空间，从而提升芯片的逻辑密度和整体效能。据台积电介绍，与N2P相比，A16在相同电压和设计条件下可实现8%-10%的性能提升；在相同频率和晶体管数量下，功耗则能降低15%-20%，密度提升范围为1.07-1.10倍。
台积电特别指出，A16工艺特别适合用于信号路由复杂且供电网络密集的高性能计算（HPC）产品。按照计划，A16将于2026年下半年开始量产。
台积电表示，N2、N2P、A16及其相关衍生产品将进一步巩固公司在半导体制造领域的技术领先地位，助力其更好地把握未来的增长机会。
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