2月26日消息，随着NAND闪存技术竞争日益激烈，三星电子公布的路线图显示，计划到2030年开发出1000层的NAND闪存。
为了实现这一目标，三星计划引入一种名为“多BV”（multi-BV）的NAND结构，通过堆叠四片晶圆来突破结构限制。
三星电子DS部门首席技术官宋在赫（Song Jae-hyuk）透露，三星将采用晶圆键合技术，分别制造外围晶圆和单元晶圆，然后将它们键合在一起形成单一的半导体，这种技术预计将在三星的V10（第10代）NAND中首次应用。
此前，三星在NAND生产中采用的是COP方法，即将外围电路放在一块晶圆上，然后将单元堆叠在上面，随着层数的增加，底层外围电路的压力会影响可靠性。
为了实现更高的层数，三星决定与长江存储合作，使用其混合键合专利技术，从V10 NAND开始，三星将引入这一技术。
据ZDNet报道，三星计划在2025年下半年开始量产V10 NAND，预计层数将达到420至430层。
除了晶圆键合技术外，三星还计划在未来的NAND生产中引入多种关键技术，包括低温刻蚀和钼的使用，这些技术将从400层NAND开始应用。
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