根据报道，三星电子正在计划启动采用常规结构的第8代10纳米级制程的DRAM。这一举措旨在丰富其在先进内存开发方面的技术储备，并为未来可能的商业化提供支持。
此前，三星原计划在2026年推出基于4F2VCT创新结构的0a纳米级内存在第四季度进行量产。然而，最近的消息表明，三星将推迟这一计划，并将其定于2028年推出。如果这个产品最终走向商业化，那么生产4F2VCT DRAM所引入的新技术和新设备预计将至少延至2029年。
内部消息人士透露，在经历了HBM开发团队规模缩小导致未能占据有利地位的重大战略错误后，三星内部对非主要产品技术开发的关注度已经有了很大改善。这一变化推动了“备选技术”的发展，如1e纳米级DRAM等。
值得注意的是，4F2VCT DRAM的优势在于其DRAM单元更为小巧且能更有效地利用垂直方向空间。然而，这也意味着生产流程将引入大量新技术和新设备，从而提高了资本支出和生产成本。
此外，消息人士还指出，在过去的一段时间里，三星内部忽视非主要产品技术开发的情况已经得到了改善。这一变化可能是由于三星对其核心竞争力的重视不断增加，以及认识到其在内存领域的优势所在。
总体而言，三星电子正在采取一系列措施来加强其技术储备，并为未来可能的商业化做好准备。这些措施包括推进备选技术的发展以及提高对非主要产品技术开发的关注度等。随着这些努力取得成功，我们有望看到更多创新和高质量的产品问世。
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