浙江驰拓科技在国际微电子领域顶级学术会议上，发布了一项突破性的SOT-MRAM技术进展。这项技术解决了SOT-MRAM在大规模生产中面临的挑战。
驰拓科技首次提出了一种适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构。这种创新设计将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并允许过刻蚀，从而大幅度增加了刻蚀窗口，降低了刻蚀过程的难度。
这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%，达到了大规模制造的要求。同时，该器件还实现了2纳秒的写入速度，超过1万亿次的写入/擦除操作次数（测量时间上限），并且具备持续微缩的潜力。
SOT-MRAM是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，具有纳秒级写入速度和无限次擦写次数的特点。然而，在器件制造工艺上存在较大挑战，尤其是传统方案从原理上导致刻蚀良率低，严重制约了其大规模生产与应用。
报道最后指出，驰拓科技通过创新的方案解决了SOT-MRAM技术在大规模生产中面临的难题，为未来非易失存储技术的发展奠定了基础。
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