三星电子正在积极投资建设10纳米级第七代DRAM测试线，以提升良率并扩大与竞争对手的技术差距。该测试线预计将于2025年第一季度全面建成，用于测试新产品的量产潜力，并提高产品质量。
据了解，平泽第二工厂（P2）的10纳米级第七代DRAM测试线被称为“one path”线。虽然平泽10纳米级第七代DRAM工厂的具体规模尚未确定，但通常安装的测试线每月可处理约10000片晶圆。
为了顺利推进10纳米级第五代DRAM的量产，三星还在人才配备方面做出了积极努力。他们将从华城工厂派遣DRAM相关人员到平泽工厂。
媒体解读认为，三星此举是一项积极的投资策略，在经历了HBM市场份额被SK海力士超越以及10纳米级第六代DRAM开发速度落后的双重打击后，三星正在全力以赴，并希望通过提前布局下一代产品，在明年重夺市场主导地位。
标签： 新闻资讯
版权声明：除非特别标注，否则均为本站原创文章，转载时请以链接形式注明文章出处。
