三星电子正加速推进下一代DRAM技术的布局。据报道，该公司已经建立了第六代DRAM尚未量产之际就开始建设第七代（1d）DRAM的测试生产线。这条被称为“单路径线”的测试线预计将在明年第一季度完全建成，以提高良率并拉开与竞争对手的技术差距。
平泽P2厂的这条测试线将用于评估新半导体产品的量产潜力。一旦下一代芯片在研发阶段确定，就会在此引进晶圆，并开始提高量产良率。
目前尚不清楚平泽10纳米级第七代DRAM厂房的规模，但通常安装测试线每月可以处理约1万片晶圆。
三星计划在2026年前量产第七代DRAM，而其前身第六代（1c）DRAM计划于明年（2025年）量产。因此，第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作同步进行。
业内人士认为，三星在第六代DRAM还未进入量产阶段之前就为第七代建置厂房，是为了明年重夺优势的起步年所进行的投资。三星HBM市场被第二大的公司SK海力士夺走，10纳米级第六代内存的开发速度也落后于对手，为了夺回领导地位，三星必须加快产品开发速度。
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